[实用新型]一种垂直结构LED芯片有效
申请号: | 202020888042.4 | 申请日: | 2020-05-22 |
公开(公告)号: | CN212967738U | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 李国强 | 申请(专利权)人: | 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 杨艳 |
地址: | 517000 广东省河源市高新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片,从下往上依次包括衬底层、粘结层、键合层、保护层、反射层、p‑GaN层、InGaN/GaN多量子阱层、n‑GaN层、钝化层和N电极;其中,反射层包括金属反射层和绝缘反射层,金属反射层的底面与保护层的上面连接,绝缘反射层设置在金属反射层的两端且与保护层连接;具有更好的光强均匀性,在芯片边缘设置了绝缘反射层,降低了边缘发光强度偏弱的影响,从而提高了反射层单位发光面积上的发光强度。使得相同发光面积下,使用垂直结构LED芯片的LED灯具有更高的发光通量。 | ||
搜索关键词: | 一种 垂直 结构 led 芯片 | ||
【主权项】:
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