[实用新型]一种下电极组件及等离子体处理装置有效
| 申请号： | 202020903932.8 | 申请日： | 2020-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN211788913U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 赵函一;黄国民;叶如彬;涂乐义 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01J9/18 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种下电极组件及所处的等离子体处理装置，通过介电环与基座配合，将介电环与基座之间的缝隙分隔成两个或两个以上间隙，以及在介电环与基座之间设置保护环，并在基座外侧设置保护层，避免了基片和聚焦环上方的等离子体泄漏到基座与边缘环组件之间的间隙内，防止了等离子体腐蚀基座，降低了下电极组件出现电弧放电的可能性，有效的保证了下电极组件的使用安全。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 组件 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司，未经中微半导体设备（上海）股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202020903932.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
