[实用新型]刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备有效
申请号: | 202021001856.8 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN211828707U | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 谢毅;周公庆;马志强;王璞 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐菲 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了刻蚀滚轮、刻蚀组件及刻蚀设备,涉及硅片刻蚀装置技术领域。一种刻蚀滚轮,刻蚀滚轮的作用面具有多个周向设置的凸棱,相邻的两个凸棱之间形成有凹槽,凸棱为弯曲状结构。该刻蚀滚轮的凸棱为弯曲状,该结构使得凸棱在刻蚀过程中具有一定的携带酸液的能力,进而增加刻蚀滚轮的携带酸液的能力,降低对氢氟酸的需求量,从而可以降低酸的使用量,刻蚀效果也更加稳定。同时,弯曲结构能够提高凸棱的形变能力,使得刻蚀滚轮在与硅片等材料作用接触的过程中能够发生形变,可以有效弥补和抵消硅片在抖动、震动过程中的一些位移,进而可以保证刻蚀工序的背面刻蚀效果正常,降低失效片的产生。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 滚轮 组件 设备 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造