[实用新型]一种InSb敏感元及无引线InSb光电红外传感器及探测器有效
申请号: | 202021006089.X | 申请日: | 2020-06-04 |
公开(公告)号: | CN212434635U | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 古瑞琴;郭海周;杨志博;高胜国;田勇;钟克创;张小水 | 申请(专利权)人: | 郑州炜盛电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0304;H01L31/09 |
代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 武亚楠 |
地址: | 450001 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本实用新型提供一种InSb敏感元、无引线InSb光电红外传感器及探测器,所述InSb敏感元包括底托、至少一个InSb单晶片和至少一组导电电极;底托的下沉槽底部设置有InSb单晶片;InSb单晶片上设置有导电电极,导电电极与InSb单晶片接触连接;底托上表面设置导电浆线路,所述导电浆线路设置在所述导电电极与管座的引脚连接点之间。该无引线InSb光电红外传感器中,底托的设置便于InSb单晶片的安装,防止InSb单晶片破碎,提高InSb敏感元的成品合格率;该无引线InSb光电红外传感器中的InSb敏感元与基座之间通过导电浆连接,无需引线连接,大大提高了无引线InSb光电红外传感器的抗震性。 | ||
搜索关键词: | 一种 insb 敏感 引线 光电 红外传感器 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的