[实用新型]一种深紫外正装结构的LED芯片有效
| 申请号： | 202021040841.2 | 申请日： | 2020-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN214043697U | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张晓娜;崔志勇;张向鹏;李勇强 | 申请（专利权）人： | 山西中科潞安紫外光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 张永辉 |
| 地址： | 046000 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本专利涉及一种深紫外正装结构的LED芯片，包括：外延层结构，所述外延层结构包括PN结，所述PN结的顶部设置有P型AlGaN层、量子阱层以及N型AlGaN层；电极，所述电极包括N电极、P电极，所述N电极与所述N型AlGaN层直接连接；GaN层，设置在所述P型AlGaN层的上表面，所述P电极设置在所述GaN层的上表面，GaN层的图案形状与所述P电极图案的形状匹配；ITO层，所述ITO层设置在所述P型AlGaN层的上表面，位于所述GaN层的周围。在p‑GaN层留出易于欧姆接触的P电极图形，同时刻蚀出易于出光的p‑AlGaN层面，使肼层电子空穴复合后主要从正面与侧面出光，避开了p‑GaN层对紫外光的强吸收现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 外正装 结构 led 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西中科潞安紫外光电科技有限公司，未经山西中科潞安紫外光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202021040841.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种肝内胆管结石取出装置
- 下一篇：一种屏蔽罩及其加工治具
