[实用新型]亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统有效
| 申请号： | 202021078739.1 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN212873186U | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 周向前;伊沃·朗格诺 | 申请（专利权）人： | 百及纳米科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 广州市一新专利商标事务所有限公司 44220 | 代理人： | 王德祥 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统，包括机体里的台面，台面上方设有电子显微镜、至少一台纳米触点传感器及晶圆移动工作台；电子显微镜上设有电子束镜筒；晶圆工作台上设有用于拖动其前、后和/或左、右和/或上、下移动以及角度变化的数控驱动装置。通过对曝光前后，晶园移动前后，写场的位置坐标比较，计算出拼接的偏差，以负反馈控制方式进行晶圆的高精度光刻拼接，克服了现有非原位、远离写场、盲人式开环光刻拼接技术受晶园工作台机械运动精度、电子束长时间漂移的影响而拼接精度差的缺陷，突破了现有技术严重依赖光刻机系统晶园工作台数控精度的瓶颈，提供了一种新型的亚纳米级高精度写场拼接光刻机系统。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 高精度 拼接 光刻 系统 | ||
【主权项】：
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