[实用新型]高维持电压单向可控硅静电保护器件有效
| 申请号： | 202021099393.3 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN212010968U | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 茅寅松;吴岩 | 申请（专利权）人： | 上海安导电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海段和段律师事务所 31334 | 代理人： | 李佳俊;郭国中 |
| 地址： | 201499 上海市奉贤*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种高维持电压单向可控硅静电保护器件，包括：N型埋层、深N阱、浅N阱和浅P阱；所述深N阱为环形，所述N型埋层位于所述深N阱的下侧；所述浅P阱包括浅P阱环和多个浅P阱条，所述浅P阱环位于所述深N阱的外侧，所述多个浅P阱条位于所述深N阱的内侧；所述浅N阱包括多个浅N阱条，所述多个浅P阱条和所述多个浅N阱条之间一一间隔排列，且最外侧的两个所述浅N阱条分别位于所述深N阱中。本实用新型具有高失效电流、高维持电压和版图面积小等特点，能有效防止闩锁效应。能对I/O端口进行有效防护。 | ||
| 搜索关键词： | 维持 电压 单向 可控硅 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
