[实用新型]一种手机SD卡过载保护结构有效
申请号: | 202021121118.7 | 申请日: | 2020-06-17 |
公开(公告)号: | CN213027441U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 马柏杰 | 申请(专利权)人: | 深圳市福日中诺电子科技有限公司 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 中山市科企联知识产权代理事务所(普通合伙) 44337 | 代理人: | 杨立铭 |
地址: | 518109 广东省深圳市龙华*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供的一种手机SD卡过载保护结构,包括pcb板,所述pcb板设置SD卡馈电焊点和SD卡馈地焊点,所述pcb板上设置铜皮,所述铜皮与所述SD卡馈电焊点焊接,所述铜皮对应所述SD卡馈地焊点处设置缺口,所述铜皮设置若干过孔,所述pcb板在bottom层对应所述过孔处焊接PTC电阻,所述PTC电阻通过所述过孔及铜皮间接与所述SD卡馈电焊点连接。利用铜皮和ptc电阻来配合解决遇到负载短路或大电流过热烧毁电源的问题,PCT电阻相比OCP电路布局面积小,更有利于器件布局和电路设计,成本更低。 | ||
搜索关键词: | 一种 手机 sd 过载 保护 结构 | ||
【主权项】:
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