[实用新型]一种二维AlN/GaN HEMT射频器件有效
| 申请号： | 202021131507.8 | 申请日： | 2020-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN212380426U | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 李国强;孙佩椰;王文樑 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本实用新型公开了一种二维AlN/GaN HEMT射频器件，包括衬底、GaN沟道层、二维AlN势垒层、SiN |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 aln gan hemt 射频 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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