[实用新型]一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构有效
| 申请号： | 202021151093.5 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN212485324U | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 谌容 | 申请（专利权）人： | 南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/16 | 分类号： | H01L25/16;H01L23/367 |
| 代理公司： | 南京常青藤知识产权代理有限公司 32286 | 代理人： | 史慧敏 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻。本实用新型设计实现大功率模块，结构对称，触发路径一致，减少震荡和客户端故障率，实现均流且散热好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 模块 陶瓷 铜板 结构 | ||
【主权项】：
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