[实用新型]去除晶圆表面汞残留处理装置有效
| 申请号： | 202021152546.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN212342579U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 黄敏;陈蛟;杨军伟;宋华平;简基康;王文军;陈小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;B01D53/64;B01D53/82;B01D46/30 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 刘晓敏 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种去除晶圆表面汞残留处理装置，其包括加热腔体、进气通道、排气通道、汞蒸气反应过滤系统、抽气泵和加热装置；通过加热装置对加热腔体进行加热，位于加热腔体内的晶圆受热使其表面的汞液滴蒸发成为汞蒸气，通过进气通道的吹气加快汞与半导体晶圆的分离，汞蒸气经排气通道进入汞蒸气反应过滤系统进行吸附处理，能简单高效地清除晶圆表面的残留汞，获得洁净的晶圆表面，同时不产生汞废液，经反应过滤后的废气可以直接排出室外而不造成空气污染，对环境友好，另外汞蒸气反应过滤系统可多次循环利用，大大缩减工业级量产外延片测试过程中的成本，利于广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 表面 残留 处理 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
