[实用新型]沟槽式功率MOS半导体器件有效
| 申请号： | 202021211707.4 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN213366602U | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈译;陆佳顺;杨洁雯 | 申请（专利权）人： | 苏州硅能半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡;王健 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种沟槽式功率MOS半导体器件，包括：位于硅片下部的重掺杂N型漏极层和位于硅片上部的P型掺杂阱层，位于P型掺杂阱层上部内且位于沟槽的周边具有重掺杂N型源极区，一绝缘介质层覆盖于沟槽、重掺杂N型源极区和P型掺杂阱层上表面；沟槽侧壁和底部具有一第一二氧化硅层，且沟槽内间隔设置有用第一导电多晶硅柱、第二导电多晶硅柱；位于N型掺杂外延层内且包覆于沟槽下部的外侧壁上具有一P型掺杂扩散区，此P型掺杂扩散区上端面与P型掺杂阱层的下表面接触。本实用新型减小了器件工作时候的开关损耗，且提高了器件的反向电压阻断能力。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mos 半导体器件 | ||
【主权项】：
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