[实用新型]一种芯片、芯片阵列结构及封装模块有效
| 申请号： | 202021222411.2 | 申请日： | 2020-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN212625592U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 杨宁;谢健兴;张雪;袁毅凯 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于芯片封装技术领域，涉及一种芯片，所述芯片包括位于芯片表面同一侧的源极区和栅极区；其中，所述源极区与所述栅极区之间设置有一阻隔层，所述阻隔层凸出于所述源极区和所述栅极区的表面。本实用新型还提供了具有所述芯片的芯片阵列结构和封装模块。根据本实用新型提供的芯片以及根据所述芯片阵列结构得到的芯片，在芯片上同一侧的源极区与栅极区之间设置阻隔层，可以在芯片的栅极与源极在固晶和固化过程中阻隔银浆的溢散，防止银浆越过源极区与栅极区之间的沟道，避免芯片发生短路，当芯片进行双面封装时，可保证双面封装模组本身的散热特性，使其具有良好的性能表现，而具有所述芯片的封装模块将具有良好的散热特性，性能更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 阵列 结构 封装 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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