[实用新型]一种紫外光发光二极管外延片及含该外延片的发光二极管

摘要

本实用新型涉及一种紫外光发光二极管外延片，包括依次设置的衬底、缓冲层、P型层、电子阻挡层、多量子阱发光层及N型层，所述缓冲层为不掺杂的AlN缓冲层或不掺杂的AlGaN缓冲层，所述P型层为P型掺杂的GaN层或P型掺杂的AlGaN层，所述N型层为N型掺杂的AlGaN层。本实用新型外延片，在后续加工成UV‑LED的芯片时，不需通过倒装GaN/AlGaN‑LED芯片加工工艺或者使用键合基板、剥离衬底等复杂工艺以形成垂直兼倒装的GaN/AlGaN‑LED芯片，只需要相对简易的正装GaN/AlGaN‑LED加工工艺即可制作出高质量的UV‑LED芯粒，大大方便装配工艺。