[实用新型]磁膜有效
| 申请号： | 202021258582.0 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN213583308U | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 金辰旭;禹成宇;徐政柱;马修·R·C·阿特金森 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周晨 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“磁膜”。本发明公开了一种磁膜，所述磁膜包括一个或多个导磁层。每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹。所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案，使得所述第一规则图案的傅里叶变换具有在对应于所述第一节距P1的第一空间频率下沿所述第二方向的第一峰。所述第一贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均长度L1。L1/P1大于或等于5。 | ||
| 搜索关键词： | 磁膜 | ||
【主权项】：
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