[实用新型]一种碳化硅MPS器件有效
| 申请号： | 202021269885.2 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN212725323U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 彭志高;林志东;陶永洪 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/16;H01L29/06 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 连耀忠;杨锴 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅MPS器件，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；有源区设置大致两种规格的P型区，表面面积较大、较宽裕的第一P型区表面覆盖第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间；表面面积较小、较细狭的第二P型区表面不设第二欧姆接触金属层。在小电流的条件下，电流从有源区的N型区通过；在大电流的条件下，二极管的正向电压升高，第一P型区表面覆盖欧姆接触形成的PiN二极管势垒开启，电流可以从该区域通过，从而提升二极管的浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mps 器件 | ||
【主权项】：
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