[实用新型]一种具有侧边拼接结构的硅晶片有效

专利信息
申请号: 202021283008.0 申请日: 2020-07-04
公开(公告)号: CN212113691U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 鲁长运;王艳丽 申请(专利权)人: 昆山台洋电子科技有限公司
主分类号: H01L23/32 分类号: H01L23/32;H01L23/00;H01L25/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种具有侧边拼接结构的硅晶片,包括硅晶片主体和晶体管,所述硅晶片主体的内部均设置有晶体管,所述硅晶片主体的外部贯穿有防护结构,所述第一连接块的一侧固定有卡块,所述第二连接块固定于硅晶片主体的另一侧,所述硅晶片主体的内部固定有加强结构。本实用新型通过设置有拆装结构实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装,通过第一连接块的一侧固定有卡块,当需要对两片硅晶片主体进行拼接时,把硅晶片主体一侧的卡块对接到另一个硅晶片主体的卡槽的一侧,把卡块插入卡槽的内部,旋转卡块,此时卡块会固定在卡槽的内部,可以对硅晶片之间进行拼接安装,便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较强。
搜索关键词: 一种 具有 侧边 拼接 结构 晶片
【主权项】:
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