[实用新型]一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置有效
申请号: | 202021298065.6 | 申请日: | 2020-07-06 |
公开(公告)号: | CN213172560U | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 张宇;韩琳 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/54;C23C16/505 |
代理公司: | 青岛华慧泽专利代理事务所(普通合伙) 37247 | 代理人: | 刘娜 |
地址: | 250013 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置,包括反应腔体、气路系统、控制系统、真空系统和尾气处理系统;反应腔体内部设置射频电极;射频电极下方设置气体混匀器,反应腔体的顶盖下方固定两个滚轴,两个滚轴之间卷绕有柔性衬底,两个滚轴之间设置有筒状的气体挡板,衬底穿过气体挡板;气体混匀器连接气路系统,反应腔体上开设气体出口一连接真空系统;气路系统包括六甲基硅氧烷储罐、氮气储罐、氧气储罐、和四氟化碳储罐,每个储罐分别通过分支管路连接反应腔体前端的主管路,主管路连接气体混匀器;本实用新型所公开的装置在室温下使用滚轴方式生长大面积柔性类氧化硅薄膜,生长速率快,尾气无污染,可作为很好的柔性绝缘介质材料。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 氧化 薄膜 大面积 生长 装置 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的