[实用新型]一种改良型mos管封装结构有效

专利信息
申请号: 202021302960.0 申请日: 2020-07-06
公开(公告)号: CN212113684U 公开(公告)日: 2020-12-08
发明(设计)人: 郑晓武 申请(专利权)人: 深圳市南芯微电子有限公司
主分类号: H01L23/10 分类号: H01L23/10;H01L23/24
代理公司: 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 代理人: 张建斌
地址: 518000 广东省深圳市龙华区观澜*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及mos管技术领域,具体为一种改良型mos管封装结构,包括底座,所述底座的两侧壁上嵌设有多个呈线性等间距分布的引脚,所述底座的顶面开设有空腔;所述底座的上方紧密粘接有封板,所述空腔内设有封装机构;所述封装机构包括外框架;该改良型mos管封装结构通过设有的封装机构,即上下两个芯片与空白芯片紧密粘接固定,而上下芯片与空白芯片则固定在两个限位条之间,通过限位条、弹簧、连接块和内框架等结构件的相互配合,便于对芯片进行固定,该设计改变了传统的下芯片与内框架粘接固定的方式,该固定方式仅通过限位条的配合即可实现对芯片的拆装,使用较为方便,便于后续的维修更换。
搜索关键词: 一种 改良 mos 封装 结构
【主权项】:
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