[实用新型]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 202021309711.4 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN212725310U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王强;石文杰 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 张媛 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型属于半导体技术领域，涉及一种CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括外围逻辑区和像素区，外围逻辑区与像素区均包括衬底及位于衬底上的多层金属层，像素区的金属层高度与外围逻辑区的金属层高度一致，且像素区的多层金属层中包括用作结构补偿的虚拟金属层。因此，本实用新型中的CMOS图像传感器增加了虚拟金属层使得像素区的金属层高度和外围逻辑区的金属层高度一致，从而使得CMOS图像传感器的应力分布均匀，暗电流变小，进而能够改善高温条件下得到的图像的边缘存在阴影的问题。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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