[实用新型]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 202021338309.9 | 申请日： | 2020-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN212182337U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 周振强;徐承福 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：漂移区和存储层，自下向上依次形成于衬底中；以及，多个栅极结构，形成于所述衬底中，所述多个栅极结构包括若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，所述第一栅极结构的深度介于所述漂移区的顶面和底面之间，所述第二栅极结构的深度介于所述存储层的顶面和底面之间，并且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构按照预设比例排布。本实用新型的技术方案能够在降低关断损耗的同时，还能使得饱和压降的增加幅度得到有效控制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
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