[实用新型]一种用于高速ADC中的输入缓冲器有效
| 申请号： | 202021364216.3 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN212258935U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王玉军;胡俊超 | 申请（专利权）人： | 成都泰格微波技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都巾帼知识产权代理有限公司 51260 | 代理人： | 邢伟 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于高速ADC中的输入缓冲器，包括两层叠置的输入缓冲结构；第一层输入缓冲结构包括第一MOS晶体管、第一电容、第二MOS晶体管、第二电容、第三MOS晶体管和第三电容；第二层输入缓冲结构包括第四MOS晶体管、第四电容、第五MOS晶体管、第五电容、第六MOS晶体管和第六电容。本实用新型提供了一种用于高速ADC中的输入缓冲器，在输入缓冲器的上下两层，采用叠置的cascode（共源共栅）晶体管来有效增大等效输出阻抗，进而增加增益和SFDR(无杂散动态范围)；本申请理论上可以接受很大范围电平的片外输入信号，因此可以大大增加端接阻抗电路的设计自由度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 高速 adc 中的 输入 缓冲器 | ||
【主权项】：
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