[实用新型]转移装置以及转移系统有效
| 申请号： | 202021373472.9 | 申请日： | 2020-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN212182295U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李欣曈;洪温振 | 申请（专利权）人： | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/677;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 402760 重庆市璧*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种转移装置以及转移系统。该转移装置包括：基板，具有凹槽；热膨胀部，位于凹槽内，热膨胀部的与凹槽的底部接触的表面为第一表面，热膨胀部的与第一表面相对的表面为第二表面，在热膨胀部被加热至预定温度时，热膨胀部膨胀，且膨胀后的膨胀部的第二表面高于凹槽两侧的基板的表面。该转移装置无需利用聚二甲基硅氧烷等昂贵材料形成凸块，因此，该转移装置的成本较低，解决了现有技术中的转移装置需要采用聚二甲基硅氧烷形成而导致的成本较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 装置 以及 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
