[实用新型]一种低氯高纯二氧化锗制备系统有效
| 申请号： | 202021389300.0 | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN213037423U | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 唐安泰;李建平 | 申请（专利权）人： | 昆明汇泉高纯半导材料有限公司 |
| 主分类号： | C01G17/02 | 分类号： | C01G17/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650300 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体，所述壳体的内壁固定连接有横板，所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管，所述壳体的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆，所述转杆的表面固定连接有搅拌板，所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱，所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱，所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管，所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管。本实用新型解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 氧化 制备 系统 | ||
【主权项】：
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