[实用新型]具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件有效
| 申请号： | 202021391765.X | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN212542442U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱永斌;邱嘉龙;李志军;何祖辉;邱秀华 | 申请（专利权）人： | 浙江天毅半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 曹玉清 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，包括导电漂移区，所述导电漂移区的底部固定连接有导电衬底，所述导电衬底的底部固定连接有保护层，所述保护层包括集电极金属引出极。本实用新型通过设置控制栅氧化层、栅极发射氧化层、栅极接收引入电极、栅极接收氧化层、栅极发射引出电极、导电桥架、屏蔽栅多晶硅、绝缘盖板和场氧化层的配合使用，可使沟槽型IGBT器件具备与栅电极交叠面积减小的特点，这样通过氧化层可以起到减小电容的效果，解决了沟槽型IGBT器件在使用时，因不能减小与栅电极的交叠面积，容易使得输入电容和反馈电容增大，无法改善IGBT的开关特性，从而导致沟槽型IGBT器件出现开关损耗较大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 沟槽 igbt 器件 | ||
【主权项】：
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