[实用新型]一种散热好的MOS管结构有效

专利信息
申请号: 202021394434.1 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN212230420U 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 韩朝鹏 申请(专利权)人: 深圳市优一达电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/467
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 钟文翰
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型提供一种散热好的MOS管结构,涉及MOS管领域。包括MOS管本体,所述MOS管本体的下表面固定安装有底座,所述底座的下表面固定安装有引脚。该散热好的MOS管结构,通过设置散热箱、散热板、通孔、第一马达、第一转动轴、第一固定块和第一扇叶,可以对MOS管本体进行吹风散热,同时散热板可以将周围的温度降低,起到冷凝的作用,配合第一扇叶对MOS管本体进行散热,通过设置第二马达、第二转动轴、第二固定块和第二扇叶,可以使散热效果更好,散热速度更快,通过设置凹槽、第一支撑板、第一升降装置、盖板和凸起块,可以将散热箱密封,对MOS管本体进行防护,可以防止灰尘进入散热箱内对内部装置的正常运行造成影响。
搜索关键词: 一种 散热 mos 结构
【主权项】:
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