[实用新型]ALD镀膜反应腔有效
| 申请号： | 202021426558.3 | 申请日： | 2020-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN213113503U | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 王新征;周芸福;龚炳建 | 申请（专利权）人： | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙) 32342 | 代理人： | 罗宏伟 |
| 地址： | 214028 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种ALD镀膜反应腔，其包括内腔体及外腔体，所述内腔体容纳于所述外腔体中，所述内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧，第一抽真空口和第二抽真空口分别独立控制内腔体、外腔体的压力，可以精确控制内腔体与外腔体的压差值，有利于控制反应过程。 | ||
| 搜索关键词： | ald 镀膜 反应 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
