[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202021449927.0 | 申请日： | 2020-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN212342636U | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底与异质结，其中，半导体衬底的背面具有漏极区域，异质结包括栅极区域与位于栅极区域两侧的源极区域，半导体衬底包括超结结构，超结结构包括若干P型层与若干N型层，P型层与N型层自半导体衬底的正面在半导体衬底的厚度方向延伸且在源极区域的连线方向上交替分布。关态时，超结结构中的P型层与N型层中的载流子互相耗尽，减少了半导体衬底内的自由载流子的数目，因而器件可实现高的关态击穿电压。超结结构使得器件主要通过栅极与漏极之间的纵向间距来承受栅压，故可减小表面尺寸，节省芯片面积。此外，由于P型层与N型层相互耗尽，超结结构可以高掺杂，从而可降低垂直型器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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