[实用新型]Ge光电探测器有效

专利信息
申请号: 202021470805.X 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN212257412U 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 方青;张馨丹;邵瑶;胡鹤鸣;顾苗苗;陈华;张志群;陈晓峰 申请(专利权)人: 昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司
主分类号: H01L31/024 分类号: H01L31/024;H01L31/105;H01L31/18
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 650000 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 实用新型提供一种Ge光电探测器,其中,Ge光电探测器包括热源层,进一步的还包括导热层;从而通过具有高阻值的热源层作为热源,以升高Ge吸收层的温度,使得Ge吸收层的禁带宽度降低,从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收,以增大Ge吸收层的吸收系数,实现Ge光电探测器探测范围的延伸,以扩大应用范围,以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层,有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层,从而有效调整Ge光电探测器的响应度;因此,本实用新型可提供一种制备工艺简单,且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数,以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。
搜索关键词: ge 光电 探测器
【主权项】:
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