[实用新型]Ge光电探测器有效
申请号: | 202021470805.X | 申请日: | 2020-07-23 |
公开(公告)号: | CN212257412U | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 方青;张馨丹;邵瑶;胡鹤鸣;顾苗苗;陈华;张志群;陈晓峰 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学;国网上海能源互联网研究院有限公司;哈尔滨众达电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/024 | 分类号: | H01L31/024;H01L31/105;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 650000 云南*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型提供一种Ge光电探测器,其中,Ge光电探测器包括热源层,进一步的还包括导热层;从而通过具有高阻值的热源层作为热源,以升高Ge吸收层的温度,使得Ge吸收层的禁带宽度降低,从而使得能量低于原Ge吸收层禁带宽度的光子被吸收,以增大Ge吸收层的吸收系数,实现Ge光电探测器探测范围的延伸,以扩大应用范围,以及通过位于Ge吸收层与热源层之间的具有较高热导率的导热层,有效地将热源层产生的热源传递到Ge吸收层,从而有效调整Ge光电探测器的响应度;因此,本实用新型可提供一种制备工艺简单,且可有效提高Ge光电探测器在长波长条件下的吸收系数,以扩大Ge光电探测器的探测范围及应用范围。 | ||
搜索关键词: | ge 光电 探测器 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的