[实用新型]微波等离子体化学气相沉积装置用风冷屏蔽机构有效
申请号: | 202021593818.6 | 申请日: | 2020-08-04 |
公开(公告)号: | CN213507192U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 任泽阳;张金风;王东;吴勇;袁珂;陈军飞;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学芜湖研究院 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/27 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 刘长春 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市弋江区高*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种微波等离子体化学气相沉积装置用风冷屏蔽机构,包括:连接的冷却罩和屏蔽罩,其中,所述冷却罩位于反应室的上方,用于对所述反应室进行风冷散热;所述屏蔽罩围设在所述反应室外部,以防止所述反应室内的电磁辐射泄漏。本实用新型的微波等离子体化学气相沉积装置用风冷屏蔽机构,设置有用于对反应室进行风冷散热的冷却罩,以及防止反应室内的电磁辐射泄漏的屏蔽罩,在采用MPCVD法制备金刚石膜的过程中,可以避免由于反应室不能及时冷却以及反应室内的电磁辐射泄漏,而造成的成膜效果不理想的问题。 | ||
搜索关键词: | 微波 等离子体 化学 沉积 装置 风冷 屏蔽 机构 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学芜湖研究院,未经西安电子科技大学芜湖研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202021593818.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种微生物菌剂生产装置
- 下一篇:一种妇产科临床用喷射式上药装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的