[实用新型]直接铜键合DCB衬底有效
申请号: | 202021703147.4 | 申请日: | 2020-08-14 |
公开(公告)号: | CN212991090U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 陈颜;吴美飞 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/492 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 310012*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种直接铜键合DCB衬底,直接铜键合DCB衬底具有第一侧边且包括第一铜层,第一铜层包括第一基岛、第二基岛以及第三基岛;其中,第二基岛部分包围第一基岛,第三基岛部分包围第二基岛,第一基岛、第二基岛以及第三基岛分别包括载片台和第一类引出端,载片台和第一类引出端通过覆铜走线形成连续导电结构,第一基岛、第二基岛以及第三基岛的第一类引出端依次设置于第一侧边的第一端,第一基岛、第二基岛以及第三基岛的载片台位于第一侧边的与第一端相对的第二端。 | ||
搜索关键词: | 直接 铜键合 dcb 衬底 | ||
【主权项】:
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