[实用新型]外延结构及应用其的半导体芯片有效
| 申请号： | 202021705512.5 | 申请日： | 2020-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN213212654U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 郑兆祯;丁新琪;涂庆明 | 申请（专利权）人： | 深圳市中光工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01S5/042 | 分类号： | H01S5/042 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 袁江龙 |
| 地址： | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种外延结构及应用其的半导体芯片，该外延结构包括依次层叠设置的量子阱结构、P型接触层以及电极层；P型接触层包括呈台阶状设置的第一台阶部与第二台阶部，第二台阶部相对第一台阶部更靠近量子阱结构；第一台阶部与第二台阶部填充有第一绝缘部。通过上述方式，可以有效提高半导体芯片的抗灾变性光学镜面损伤值。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 结构 应用 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
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