[实用新型]一种过压过流保护二极管封装结构有效
申请号: | 202021725196.8 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN212648221U | 公开(公告)日: | 2021-03-02 |
发明(设计)人: | 林茂昌;刘文松 | 申请(专利权)人: | 上海金克半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L29/861 |
代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 吕伴 |
地址: | 201100 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开的一种过压过流保护二极管封装结构,包括过流过压保护二极管芯片、第一、二引脚以及塑封结构;第一、二引脚分别具有第一、二芯片焊接部、第一、二PCB板连接部以及第一、二连接部,其还包括第一、二铜粒,第一、二铜粒分别焊接在过流过压保护二极管芯片的上下两极,第一、二芯片焊接部分别焊接在第一、二铜粒上;塑封结构封装第一、二芯片焊接部、第一、二连接部、第一、二铜粒、过流过压保护二极管芯片;第一、二PCB板连接部均位于塑封结构的外侧,第一、二PCB板连接部的末端均翻折至与塑封结构的底面平行的状态并贴近塑封结构的底面。通过在过流过压保护二极管芯片与第一、二引脚的第一、二芯片焊接部之间设置第一、二铜粒,提高了散热效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 保护 二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
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