[实用新型]一种电平位移电路有效
| 申请号： | 202021742403.0 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN213754482U | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 涂才根;张胜;谭在超;罗寅;丁国华 | 申请（专利权）人： | 苏州锴威特半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 杜静静 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电平位移电路，所述电路包括VDD为芯片电源，GND为芯片地；HB为半桥高边侧浮动电源；HS为半桥高边侧浮动地；N1、N2为承受半桥高压的MOS；电阻R1、R2为产生电压差的两个电阻；三极管Q1、Q2、Q3、Q4组成两组电流镜；三极管Q5为一路电流源，分别为Q1支路或Q3支路提供偏置电流，偏置电流的大小由偏置电压Vb和电阻R3或R4决定；P1、P2为控制两组电流镜是否产生电流的开关管，分别由脉冲信号pulse1、pulse2控制；P3、P4为采样开关管；R5、R6电阻及N3为RS锁存器产生初始状态；PulseGen模块接收DRV_IN信号，产生两路低窄脉冲信号pulse1和pulse2,RS锁存器产生输出信号DRV_OUT，该信号控制后续的驱动电路；方案新颖、简洁，可将电路功耗限制地极低，功耗值精确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电平 位移 电路 | ||
【主权项】：
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