[实用新型]一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构

摘要

本实用新型公开了一种高内量子效率的绿光LED磊晶结构，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、缺陷湮灭层、u‑GaN层、N‑GaN层、发光层、电子阻挡层和P‑GaN层；所述缺陷湮灭层由若干对交替堆叠的AlN/GaN组成。所述AlN/GaN的周期重复数大于10，所述AlN的厚度为2～10nm，GaN的厚度为15～30nm。本实用新型在现有结构上增加了缺陷湮灭层，缺陷湮灭层采用AlN/GaN交替堆叠的结构能够将AlN缓冲层未阻挡掉的缺陷(缺陷密度约108/cm3)进一步进行降低。缺陷延伸到缺陷湮灭层的超晶格界面处会发生转向和湮灭，多周期交替生长的结构能够将缺陷密度降低到107/cm3量级。可广泛应用于绿光LED磊晶领域。