[实用新型]一种SDB工艺的测试结构有效
| 申请号： | 202021810675.X | 申请日： | 2020-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN213660352U | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 张璐 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种SDB工艺的测试结构，用于检测单扩散区切断的工艺情况，所述测试结构包括至少一个基本单元：所述基本单元包括两个鳍式场效应晶体管：第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管；所述鳍式场效应晶体管包括若干根相邻的平行鳍部和横跨鳍部的栅极结构,鳍式场效应晶体管的源极和漏极分设在栅极结构两侧的鳍部上；所述第一鳍式场效应晶体管和第二鳍式场效应晶体管共用同一根栅极结构；单扩散区切断设置在第二鳍式场效应晶体管的栅极结构上，用于截断第二鳍式场效应晶体管的源极和漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sdb 工艺 测试 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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