[实用新型]改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台有效
申请号: | 202021823883.3 | 申请日: | 2020-08-27 |
公开(公告)号: | CN213447296U | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 刘鹏杰;张笑华;张文文 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/34;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 栾美洁 |
地址: | 201315 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台,所述炉管机台具有一反应室,所述反应室内装载有硅片,所述反应室内设有两根进气管,所述进气管上分布有出气孔,其中一根进气管为上进气管,另一根进气管为下进气管。本实用新型的炉管机台中,两根进气管中的一根进气管由下至上进气,另一根进气管则由上至下进气,这样使得炉管机台的反应室中上部硅片和下部硅片表面的吹扫气体流量均匀,硅片表面都可能得到均匀充足的吹扫,各硅片表面的反应条件相近,因此上下部硅片表面沉积的薄膜厚度均匀性提高,从而显著改善炉管机台整批硅片的一致性,而且保证了机台的产能。 | ||
搜索关键词: | 改善 原子 沉积 薄膜 均匀 炉管 机台 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的