[实用新型]一种用于晶片的开沟槽装置有效
| 申请号： | 202021856840.5 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN213304070U | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 程崑岚;陈仕军;程俊斌;张贤锋 | 申请（专利权）人： | 固镒电子（芜湖）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种用于晶片的开沟槽装置，包括开沟槽体、冷却槽体、举升机构和转动架，冷却槽体设置在开沟槽体的侧部，举升机构安装在开沟槽体的顶端，转动架转动安装在举升机构的端部，冷却槽体的内部设置有第一制冷盘管；举升机构包括竖板、转动轴、第一电机和举升臂；转动架包括两个相对间隔设置的侧板、连接在两个侧板底部之间的底板以及连接在两个侧板顶部之间的固定杆，底板顶部的左右两端分别设置有挡板。本实用新型针对现有技术中用于晶片的开沟槽装置不能很好的维持酸腐蚀液的温度，腐蚀出的沟槽深度一致性差，晶片的质量低等问题进行改进，本实用新型具有很好的维持酸腐蚀液的温度、腐蚀出的沟槽深度一致、提升晶片的质量等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶片 沟槽 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
