[实用新型]大功率可控硅器件有效
| 申请号： | 202021859280.9 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN212934599U | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/74 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种大功率可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔。本实用新型大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
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