[实用新型]逆导半导体可控硅有效
| 申请号： | 202021861348.7 | 申请日： | 2020-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN213212155U | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 唐兴军;王亚 | 申请（专利权）人： | 苏州兴锝电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L29/74 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州市高*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种逆导半导体可控硅，其可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板，此散热板上开有一圆孔，所述环氧封装体上表面或者下表面开有至少一个盲孔；所述二极管芯片的正极通过焊膏层与所述第二导电柱一端电连接，所述阳极电极位于陶瓷绝缘片与二极管芯片相背的表面。本实用新型逆导半导体可控硅有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，大大提高了器件耐高压性能且关断时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 可控硅 | ||
【主权项】：
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