[实用新型]一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED有效
| 申请号： | 202021905263.4 | 申请日： | 2020-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN212542466U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡端俊;黄生荣 | 申请（专利权）人： | 厦门瑶光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 杨泽奇 |
| 地址： | 361000 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；n型接触层接引有第一电极；复合金属电极层接引有第二电极；复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层。该欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，通过高功函数金属薄层与p型电导层接触，以获得低电阻的欧姆接触；通过在高功函数金属薄层上沉积高深紫外反射率金属层，增强对深紫外光的反射；通过在高深紫外反射率金属层上沉积保护金属层，以防止下层金属氧化，和增加稳定性。该深紫外LED能够获得高的电注入效率，低开启电压，高的背出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 反射 电极 结构 深紫 led | ||
【主权项】：
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