[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 202021912432.7 | 申请日： | 2020-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN212257389U | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 尹佳山;周祖源;薛兴涛;林正忠 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体结构包括Si衬底、绝缘层、Cu柱及钝化层，由于Si衬底与绝缘层具有第一高度差D1，Cu柱与绝缘层具有第二高度差D2，且第一高度差D1大于第二高度差D2，从而可有效避免对器件的电性能造成影响，避免绝缘层内外侧Cu金属的连接，以有效避免对器件的电性能造成影响，进一步的通过钝化层可有效覆盖Si衬底，以进一步的避免后续工艺中Si衬底形成导电通道，以起到良好的绝缘效果，从而可进一步的避免对器件的电性能造成影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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