[实用新型]高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器有效
申请号: | 202021920586.0 | 申请日: | 2020-09-04 |
公开(公告)号: | CN212783453U | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 东尚清 | 申请(专利权)人: | 上海大芯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01S17/894;G01S17/10;G01S7/4863;G01S7/481 |
代理公司: | 上海启核知识产权代理有限公司 31339 | 代理人: | 赵祖祥 |
地址: | 200131 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提出了一种高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器,所述像素结构为前照式结构,其包括多个像素组;单个像素组内包括多个单光子雪崩电路结构、处理电路及浅隔离层;处理电路围绕在多个单光子雪崩电路结构外围,相邻的单光子雪崩电路结构之间由浅隔离层隔离,浅隔离层隔离处理电路与单光子雪崩电路结构;同一像素组内单光子雪崩电路结构共用一DNW或DPW。将多个SPAD组成一像素组,同一像素组内的多个SPAD共用一个DNW或DPW,并且共用外围的处理电路,结构紧凑,面积可大幅缩小,且无需太多面积和空间满足DNW或DPW的设计规则,便于将像素间距缩小,从而实现像素阵列的高分辨率。 | ||
搜索关键词: | 高分辨率 距离 传感器 像素 结构 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的