[实用新型]高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器有效

专利信息
申请号: 202021923992.2 申请日: 2020-09-04
公开(公告)号: CN214097787U 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 东尚清 申请(专利权)人: 上海大芯半导体有限公司
主分类号: G01S17/48 分类号: G01S17/48;H01L27/146
代理公司: 上海和华启核知识产权代理有限公司 31339 代理人: 赵祖祥
地址: 200131 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提出了一种高分辨率距离传感器像素结构及距离传感器,像素结构为后照式结构,在像素结构正面,处理电路围绕在多个单光子雪崩电路结构外围,相邻的单光子雪崩电路结构顶部之间由浅隔离层隔离,浅隔离层隔离处理电路与单光子雪崩电路结构;在像素组结构背面,相邻的单光子雪崩电路结构底部之间及外围由所述深隔离层隔离;同一像素组内单光子雪崩电路结构共用一DNW或DPW。将多个SPAD组成一像素组,同一像素组内的多个SPAD共用一个DNW或DPW,并且共用外围的处理电路,结构紧凑,面积可大幅缩小,且无需太多面积和空间满足DNW或DPW的设计规则,便于将像素间距缩小,从而实现像素阵列的高分辨率。
搜索关键词: 高分辨率 距离 传感器 像素 结构
【主权项】:
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