[实用新型]碳化硅肖特基半导体器件有效
| 申请号： | 202021961880.6 | 申请日： | 2020-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN212625590U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 林苡任;史波;陈道坤;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;朱明明 |
| 地址： | 519000*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种碳化硅肖特基半导体器件，其包括第一电子型半导体层、第二电子型半导体层、第一空穴型半导体层、第二空穴型半导体层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型半导体上，第二阳极结构设置在第二空穴型半导体层上，第一电子型半导体层的掺杂浓度大于第二电子型半导体层的掺杂浓度，第一空穴型半导体层的掺杂浓度小于第二空穴型半导体层的掺杂浓度。该碳化硅肖特基半导体器件可以解决现有碳化硅肖特基半导体器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基半导体器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基半导体器件的工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 半导体器件 | ||
【主权项】：
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