[实用新型]一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅

摘要

本实用新型涉及单向可控硅技术领域，且公开了一种新型抗干扰门极灵敏触发可控硅，包括门极电极G与阴极电极K，利用P型短基区扩散层的次表面层的高阻特性，将门极电极G与阴极电极K之间外接的1KΩ电阻集成到芯片本体的内部，形成横向扩散电阻RGK，当可控硅门极电极G与阴极电极K之间加电流IG时，在RGK上产生一个电压降VR，只有当VR大于等于P型短基区和N型长基区的门坎电压VO时，可控硅才会触发，克服了目前市场上的微触发单向可控硅温度特性差、IGT离散性大、维持电流高、开关速度低和VTM大等缺点，大大的提升了可控硅的性能，尤其是触发电流温度特性的高温特性得到了很大的改善。