[实用新型]缺陷修复电路和存储器有效
| 申请号： | 202021992198.3 | 申请日： | 2020-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN212303083U | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张良 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 200051 上海市长宁区虹桥路143*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请实施例涉及一种缺陷修复电路和存储器，缺陷修复电路包括：测试模块，用于在测试模式下对存储单元阵列进行缺陷测试，以确定缺陷存储单元，并输出与存储单元相对应的测试地址信息和缺陷标识信号；缺陷信息存储模块，与测试模块连接，用于响应于缺陷标识信号，存储缺陷地址信息，缺陷地址信息为缺陷存储单元的测试地址信息，还用于响应于外部输入的修复选择信号输出第一地址信息，第一地址信息为多个缺陷地址信息中的一个；修复模块，与缺陷信息存储模块连接，用于根据接收到的第一地址信息，以对相应的缺陷存储单元进行修复。在本实施例中，缺陷修复电路新可以兼容于较小面积的芯片中，而且具有较高的便利性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 修复 电路 存储器 | ||
【主权项】：
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