[实用新型]一种新型一体式斜槽硅舟有效
申请号: | 202022005734.2 | 申请日: | 2020-09-14 |
公开(公告)号: | CN213519899U | 公开(公告)日: | 2021-06-22 |
发明(设计)人: | 范明明;韩颖超;李长苏 | 申请(专利权)人: | 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 郑汝珍 |
地址: | 310051 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型为了克服现有技术中直立槽型载体无法满足化学沉积工艺中硅片稳定性要求的技术问题,提供一种新型一体式斜槽硅舟,包括硅舟基体和设在硅舟基体上的沟齿槽,硅舟基体包括底板和与底板相连的侧板,侧板远离底板的一端设有限位件,侧板靠近底板的一端设有支撑件,限位件和支撑件均位于侧板内侧,侧板包括对称布置在底板两侧的第一侧板和第二侧板,沟齿槽包括限位沟齿槽和支撑沟齿槽,若干个限位沟齿槽沿限位件的长度方向间隔布置,若干个支撑沟齿槽沿支撑件的长度方向间隔布置,朝同一方向倾斜的限位沟齿槽和支撑沟齿槽配合形成支撑槽。本申请所述硅舟在气体流速变动时仍然可保证硅片的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 体式 斜槽 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造