[实用新型]一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路有效
| 申请号： | 202022078080.6 | 申请日： | 2020-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN212435579U | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 贺江平;王俊喜;孙晓良 | 申请（专利权）人： | 深圳市思远半导体有限公司 |
| 主分类号： | H02M1/44 | 分类号： | H02M1/44 |
| 代理公司： | 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 | 代理人： | 薛吉林 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种提高ESD器件抗闩锁效应能力的电路，包括：ESD器件、设置在ESD器件的发射极和基极之间的抑制电阻、第一寄生三极管、第二寄生三极管、第三寄生三极管以及外部电源；第一寄生三极管以及第二寄生三极管的基极与ESD器件的集电极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的发射极与ESD器件的基极连接，第一寄生三极管以及第二寄生三极管的集电极分别与外部电源连接；第三寄生三极管的基极分别与ESD器件的基极以及第一寄生三极管的发射极连接，第三寄生三极管的发射极与ESD器件的发射极连接，第三寄生三极管的集电极分别与ESD器件的集电极、第一寄生三极管的基极以及第二寄生三极管的基极连接。本实用新型能够提高ESD器件抗闩锁效应的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 esd 器件 抗闩锁 效应 能力 电路 | ||
【主权项】：
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
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