[实用新型]一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构有效
| 申请号： | 202022090801.5 | 申请日： | 2020-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN213636609U | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 韩春霞 | 申请（专利权）人： | 武汉仟目激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 郑飞 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区汤*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型属于激光器制造技术领域，具体提供了一种高线性度垂直腔面激光器芯片结构，包括由下至上依次加工形成的衬底、N‑DBR层、多量子阱层、P‑DBR层、帽层、绝缘层及电极接触层，绝缘层设有内外连接通道，内外连接通道设有金属层，金属层的上端面与电极层接触，金属层的下端面与帽层之间注入有离子注入层。在外延片清洗完成后先进行光刻工艺，将外延结构上不需要离子注入的区域用光刻胶保护，然后进行离子注入工艺，再将含有光刻胶的区域去胶，最后的工艺方法和现有工艺一样。当器件处于工作状态时载流子会被限制在离子注入的区域传输，不会因为刻蚀过程中过刻导致载流子的传输路径发生改变，提高了产品的可靠性，延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线性 垂直 激光器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
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